Micron có kế hoạch ra mắt mô-đun bộ nhớ HBM4 hiệu suất cao vào năm 2026

Micron đã công bố kế hoạch ra mắt các mô-đun bộ nhớ HBM4 hiệu suất cao vào năm 2026. Mô-đun bộ nhớ mới này sẽ chứa tối đa 16 chip DRAM, mỗi chip có dung lượng 32GB và sử dụng giao diện rộng 2048-bit, được thiết kế để mang lại hiệu suất tuyệt vời và tiết kiệm năng lượng. Micron cho biết với nền tảng vững chắc và việc tiếp tục đầu tư vào công nghệ xử lý 1β (công nghệ 10nm thế hệ thứ năm), HBM4 sẽ duy trì vị trí dẫn đầu về thời gian đưa ra thị trường và hiệu quả sử dụng năng lượng, với hiệu suất được cải thiện hơn 50% so với HBM3E. Sự đổi mới này được kỳ vọng sẽ thúc đẩy sự phát triển của ngành công nghiệp điện tử ô tô và đáp ứng nhu cầu xử lý dữ liệu ngày càng tăng.