Micron berencana meluncurkan modul memori HBM4 berkinerja tinggi pada tahun 2026

Micron telah mengumumkan rencana untuk meluncurkan modul memori HBM4 berkinerja tinggi pada tahun 2026. Modul memori baru ini akan menumpuk hingga 16 chip DRAM, masing-masing berkapasitas 32GB, dan menggunakan antarmuka lebar 2048-bit, dirancang untuk memberikan kinerja luar biasa dan efisiensi energi. Micron mengatakan bahwa dengan fondasi yang kuat dan investasi berkelanjutan dalam teknologi proses 1β (teknologi 10nm generasi kelima), HBM4 akan mempertahankan posisi terdepannya dalam hal waktu pemasaran dan efisiensi energi, dengan peningkatan kinerja lebih dari 50% dibandingkan HBM3E. Inovasi ini diharapkan dapat mendorong perkembangan industri elektronik otomotif dan memenuhi permintaan pemrosesan data yang terus meningkat.