Micron merancang untuk melancarkan modul memori HBM4 berprestasi tinggi pada tahun 2026

Micron telah mengumumkan rancangan untuk melancarkan modul memori HBM4 berprestasi tinggi pada tahun 2026. Modul memori baharu ini akan menyusun sehingga 16 cip DRAM, setiap satunya berkapasiti 32GB, dan menggunakan antara muka lebar 2048-bit, direka untuk memberikan prestasi cemerlang dan kecekapan tenaga. Micron berkata dengan asas kukuh dan pelaburan berterusan dalam teknologi proses 1β (generasi kelima teknologi 10nm) matang, HBM4 akan mengekalkan kedudukan utamanya dalam masa ke pasaran dan kecekapan tenaga, dengan prestasi dipertingkatkan lebih daripada 50% berbanding HBM3E. Inovasi ini dijangka menggalakkan pembangunan industri elektronik automotif dan memenuhi permintaan yang semakin meningkat untuk pemprosesan data.