东尼电子宣布扩建SiC项目,预计新增年产20万片6英寸碳化硅衬底材料
6英寸
投资
万片
英寸
子公司
扩建
东尼电子
湖州
衬底
碳化硅
预计
半导体
年产
SiC
2023年
项目
2024-03-29 16:30
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东尼电子宣布将在湖州市吴兴区织里镇扩建其SiC项目,新增年产20万片6英寸碳化硅衬底材料。该项目总投资4.69亿,由子公司东尼半导体负责建设,预计将于2023年上半年完成。
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