斯科車規級SiC晶片模組計畫進入試生產階段

斯科車規級SiC晶片模組計畫目前已進入試生產階段，計畫總投資10億元人民幣。該計畫位於蘇州太湖科學城功能片區，建築面積約1.1萬平方米，預計建成後將具備年產240萬套SiC半橋模組的生產能力。