De SiC MOSFET- en SiC JBS-producten van Hanxin Technology hebben de AEC-Q101-autocertificering verkregen

De siliciumcarbidediode H4S120G020 van de vierde generatie van Hanxin Technology en de siliciumcarbide MOSFET H2M120F080 van de tweede generatie zijn met succes geslaagd voor de AEC-Q101-certificering voor auto's. Deze producten zijn geschikt voor apparaten voor stroomconversie in nieuwe energievoertuigen, oplaadpalen, spoorvervoer en slimme netwerken.