Hanxin Technology's SiC MOSFET a SiC JBS Produkter kruten AEC-Q101 Automotive Zertifizéierung
Smart Gitter
4S
AEC-Q
Si
MOSFET
Pro
Si
Energie
Gitter
Gitter
Silicon Carbide
rad
Automotive Grad
EC
Smart
Automotive Grad
2024-12-25 11:22
71
Hanxin Technology d'véiert Generatioun Silicium Carbide Diode H4S120G020 an zweeter Generatioun Silicon Carbide MOSFET H2M120F080 hunn erfollegräich AEC-Q101 Automotive Grad Zertifizéierung passéiert. Dës Produkter si gëeegent fir Energiekonversiounsapparater an nei Energie Gefierer, Opluedstécker, Schinnentransit a Smart Gitter.
