Τα προϊόντα SiC MOSFET και SiC JBS της Hanxin Technology έλαβαν πιστοποίηση AEC-Q101 για αυτοκίνητα

Η δίοδος καρβιδίου του πυριτίου τέταρτης γενιάς H4S120G020 της Hanxin Technology και η δεύτερη γενιά καρβιδίου του πυριτίου MOSFET H2M120F080 πέρασαν με επιτυχία την πιστοποίηση AEC-Q101 για την κατηγορία αυτοκινήτου. Αυτά τα προϊόντα είναι κατάλληλα για συσκευές μετατροπής ισχύος σε οχήματα νέας ενέργειας, πασσάλους φόρτισης, σιδηροδρομικές μεταφορές και έξυπνα δίκτυα.