Izdelka SiC MOSFET in SiC JBS podjetja Hanxin Technology sta prejela avtomobilski certifikat AEC-Q101

Četrta generacija silicijevih karbidnih diod H4S120G020 Hanxin Technology in druga generacija silicijevih karbidnih MOSFET H2M120F080 sta uspešno opravila certificiranje AEC-Q101 za avtomobilski razred. Ti izdelki so primerni za naprave za pretvorbo električne energije v novih energetskih vozilih, polnilnih pilotih, železniškem prometu in pametnih omrežjih.