Produkty SiC MOSFET i SiC JBS firmy Hanxin Technology uzyskały certyfikat motoryzacyjny AEC-Q101

Dioda z węglika krzemu czwartej generacji H4S120G020 firmy Hanxin Technology i MOSFET H2M120F080 z węglika krzemu drugiej generacji pomyślnie przeszły certyfikację klasy motoryzacyjnej AEC-Q101. Produkty te nadają się do urządzeń przetwarzających energię w pojazdach nowej generacji, słupach ładujących, transporcie kolejowym i inteligentnych sieciach.