Hanxin Technology SiC MOSFET ir SiC JBS produktai gavo AEC-Q101 automobilių sertifikatą

„Hanxin Technology“ ketvirtos kartos silicio karbido diodas H4S120G020 ir antrosios kartos silicio karbidas MOSFET H2M120F080 sėkmingai išlaikė AEC-Q101 automobilių kokybės sertifikatą. Šie gaminiai tinka energijos konvertavimo įrenginiams naujose energetinėse transporto priemonėse, įkrovimo poliuose, geležinkelio tranzitu ir išmaniuosiuose tinkluose.