हैनक्सिन टेक्नोलॉजी के SiC MOSFET और SiC JBS उत्पादों ने AEC-Q101 ऑटोमोटिव प्रमाणन प्राप्त किया

हैनक्सिन टेक्नोलॉजी की चौथी पीढ़ी के सिलिकॉन कार्बाइड डायोड H4S120G020 और दूसरी पीढ़ी के सिलिकॉन कार्बाइड MOSFET H2M120F080 ने सफलतापूर्वक AEC-Q101 ऑटोमोटिव ग्रेड प्रमाणीकरण पारित कर दिया है। ये उत्पाद नई ऊर्जा वाहनों, चार्जिंग पाइल्स, रेल ट्रांजिट और स्मार्ट ग्रिड में बिजली रूपांतरण उपकरणों के लिए उपयुक्त हैं।