Produk SiC MOSFET dan SiC JBS dari Hanxin Technology memperoleh sertifikasi otomotif AEC-Q101

Dioda silikon karbida generasi keempat H4S120G020 dari Hanxin Technology dan MOSFET silikon karbida generasi kedua H2M120F080 telah berhasil lulus sertifikasi tingkat otomotif AEC-Q101. Produk-produk ini cocok untuk perangkat konversi daya pada kendaraan energi baru, tiang pengisi daya, angkutan kereta api, dan jaringan pintar.