Produk SiC MOSFET dan SiC JBS Hanxin Technology memperoleh pensijilan automotif AEC-Q101

Diod silikon karbida generasi keempat Hanxin Technology H4S120G020 dan MOSFET silikon karbida generasi kedua MOSFET H2M120F080 telah berjaya melepasi pensijilan gred automotif AEC-Q101. Produk ini sesuai untuk peranti penukaran kuasa dalam kenderaan tenaga baharu, cerucuk pengecasan, transit rel dan grid pintar.