Hanxin প্রযুক্তির SiC MOSFET এবং SiC JBS পণ্য AEC-Q101 স্বয়ংচালিত সার্টিফিকেশন প্রাপ্ত

Hanxin প্রযুক্তির চতুর্থ প্রজন্মের সিলিকন কার্বাইড ডায়োড H4S120G020 এবং দ্বিতীয় প্রজন্মের সিলিকন কার্বাইড MOSFET H2M120F080 সফলভাবে AEC-Q101 স্বয়ংচালিত গ্রেড সার্টিফিকেশন পাস করেছে। এই পণ্যগুলি নতুন শক্তির যানবাহন, চার্জিং পাইলস, রেল ট্রানজিট এবং স্মার্ট গ্রিডে পাওয়ার রূপান্তর ডিভাইসের জন্য উপযুক্ত।