Hanxin Technology-ის SiC MOSFET და SiC JBS პროდუქტებმა მოიპოვეს AEC-Q101 საავტომობილო სერთიფიკატი
Qt ჯგუფი
ობი ჟონგუანგი
4S
AEC-Q
რა
გაია
ეს
და
რა
MOSFET
პრო
ი
იი
სერთიფიკატი
წყობის
მოწყობილობები
ელექტრო
დიოდი
ფი
EC
ჭკვიანი
ეს
2024-12-25 11:22
71
Hanxin Technology-ის მეოთხე თაობის სილიციუმის კარბიდის დიოდი H4S120G020 და მეორე თაობის სილიციუმის კარბიდი MOSFET H2M120F080 წარმატებით გაიარეს AEC-Q101 საავტომობილო კლასის სერთიფიკატი. ეს პროდუქტები შესაფერისია ელექტროენერგიის კონვერტაციის მოწყობილობებისთვის ახალ ენერგეტიკულ მანქანებში, დამუხტვის წყობისთვის, სარკინიგზო ტრანზიტისთვის და ჭკვიანი ქსელებისთვის.
