Technologia Hanxin SiC MOSFET et SiC JBS producta consecuti sunt AEC-Q101 certificatione autocineta

Hanxin Technologia quarta generatio pii carbide diode H4S120G020 et generatio pii carbide MOSFET H2M120F080 feliciter transierunt AEC-Q101 gradus autocineti certificationis. Producta haec ad conversionem potentiae aptae sunt machinae in novis vehiculis energiae incurrentes, strues, transitus clausurae et gridis captivorum.