Der 1200-V/80-mΩ-SiC-MOSFET von Xingan Technology hat die Automobilzulassung erhalten

Das von Xingan Technology unabhängig entwickelte 1200-V/80-mΩ-SiC-MOSFET-Gerät hat die inländische Zuverlässigkeitszertifizierung durch Dritte bestanden und erfolgreich einen vollständigen Satz der AEC-Q101-Zuverlässigkeitszertifizierung für die Automobilindustrie erhalten. Diese Zertifizierung spiegelt die hervorragende Leistung der Siliziumkarbid-MOSFET-Geräteprodukte von Xingan Technology in Bezug auf Zuverlässigkeit und Stabilität wider.