Le MOSFET SiC 1 200 V/80 mΩ de Xingan Technology a obtenu la certification de qualité automobile

Le dispositif MOSFET SiC 1 200 V/80 mΩ développé indépendamment par Xingan Technology a passé la certification de fiabilité nationale par un tiers et a obtenu avec succès un ensemble complet de certifications de fiabilité de qualité automobile AEC-Q101. Cette certification reflète les excellentes performances des produits de dispositifs MOSFET en carbure de silicium de Xingan Technology en termes de fiabilité et de stabilité.