Il MOSFET SiC da 1200 V/80 mΩ di Xingan Technology ha ottenuto la certificazione di grado automobilistico

Il dispositivo MOSFET SiC da 1200 V/80 mΩ sviluppato in modo indipendente da Xingan Technology ha superato la certificazione di affidabilità nazionale di terze parti e ha ottenuto con successo una serie completa di certificazioni di affidabilità di grado automobilistico AEC-Q101. Questa certificazione riflette le eccellenti prestazioni dei prodotti MOSFET in carburo di silicio di Xingan Technology in termini di affidabilità e stabilità.