1200V/80mΩ SiC MOSFET Teknologi Xingan memperoleh pensijilan gred automotif
Teknologi Xingan
1200V
AEC-Q
MOSFET
SiC MOS
SiC MOSFET
prestasi
Peranti
bas
kes
kebolehpercayaan
bas
Teknologi
Pensijilan
Peranti
SiC
penuh
2024-12-25 11:22
38
Peranti SiC MOSFET 1200V/80mΩ yang dibangunkan secara bebas oleh Teknologi Xingan telah lulus pensijilan kebolehpercayaan pihak ketiga domestik dan berjaya memperoleh satu set penuh pensijilan kebolehpercayaan gred automotif AEC-Q101. Pensijilan ini mencerminkan prestasi cemerlang produk peranti MOSFET silikon karbida Teknologi Xingan dari segi kebolehpercayaan dan kestabilan.
