Xingan প্রযুক্তির 1200V/80mΩ SiC MOSFET স্বয়ংচালিত গ্রেড সার্টিফিকেশন পেয়েছে

Xingan প্রযুক্তি দ্বারা স্বাধীনভাবে বিকশিত 1200V/80mΩ SiC MOSFET ডিভাইসটি গার্হস্থ্য তৃতীয়-পক্ষের নির্ভরযোগ্যতা শংসাপত্র পাস করেছে এবং সফলভাবে AEC-Q101 স্বয়ংচালিত গ্রেড নির্ভরযোগ্যতা শংসাপত্রের সম্পূর্ণ সেট পেয়েছে। এই শংসাপত্রটি নির্ভরযোগ্যতা এবং স্থিতিশীলতার দিক থেকে Xingan প্রযুক্তির সিলিকন কার্বাইড MOSFET ডিভাইস পণ্যগুলির চমৎকার কর্মক্ষমতা প্রতিফলিত করে।