飛鋥半導體自主研發SiC MOSFET取得AEC-Q101車規認證

飛鋥半導體自主研發的1200V 35/70/160mΩ和650V 30/45/60mΩ車規級SiC MOSFET元件已成功獲得AEC-Q101車規級可靠度認證，且已通過960V高壓H3TRB加嚴測試。