Feidian Semiconductor hat den SiC-MOSFET unabhängig entwickelt und die AEC-Q101-Automobilzertifizierung erhalten

Die von Feidian Semiconductor unabhängig entwickelten 1200 V 35/70/160 mΩ und 650 V 30/45/60 mΩ SiC-MOSFET-Bauteile für den Automobilbereich haben erfolgreich die AEC-Q101-Zuverlässigkeitszertifizierung für den Automobilbereich erhalten und den strengen 960-V-Hochspannungstest H3TRB bestanden.