Feidian Semiconductor a développé indépendamment un MOSFET SiC et a obtenu la certification automobile AEC-Q101

Les dispositifs MOSFET SiC de qualité automobile 1 200 V 35/70/160 mΩ et 650 V 30/45/60 mΩ développés indépendamment par Feidian Semiconductor ont obtenu avec succès la certification de fiabilité de qualité automobile AEC-Q101 et ont passé avec succès le test rigoureux H3TRB haute tension 960 V.