A Feidian Semiconductor desenvolveu de forma independente o SiC MOSFET e obteve a certificação automotiva AEC-Q101

Os dispositivos SiC MOSFET de nível automotivo de 1200V 35/70/160mΩ e 650V 30/45/60mΩ desenvolvidos independentemente pela Feidian Semiconductor obtiveram com sucesso a certificação de confiabilidade de nível automotivo AEC-Q101 e passaram no rigoroso teste H3TRB de alta tensão de 960V.