Feidian Semiconductor desarrolló de forma independiente SiC MOSFET y obtuvo la certificación automotriz AEC-Q101

Los dispositivos MOSFET de SiC de grado automotriz de 1200 V 35/70/160 mΩ y 650 V 30/45/60 mΩ desarrollados independientemente por Feidian Semiconductor han obtenido con éxito la certificación de confiabilidad de grado automotriz AEC-Q101 y han pasado la rigurosa prueba H3TRB de alto voltaje de 960 V.