Компания Feidian Semiconductor самостоятельно разработала SiC MOSFET и получила автомобильный сертификат AEC-Q101.

Устройства SiC MOSFET автомобильного класса на напряжение 1200 В, 35/70/160 мОм и 650 В, 30/45/60 мОм, независимо разработанные компанией Feidian Semiconductor, успешно получили сертификат надежности автомобильного класса AEC-Q101 и прошли строгие испытания H3TRB при высоком напряжении 960 В.