Feidian Semiconductor a dezvoltat independent MOSFET SiC și a obținut certificarea auto AEC-Q101
1200V
650V
AEC-Q
H3TRB
MOSFET
Semi
MOSFET SiC
test
Dispozitiv
fiabilitate
Dispozitive
an
dezvolta
EC
2024-12-25 11:22
52
Dispozitivele MOSFET SiC de 1200V 35/70/160mΩ și 650V 30/45/60mΩ dezvoltate independent de Feidian Semiconductor au obținut cu succes certificarea de fiabilitate pentru automobile AEC-Q101 și au trecut testul riguros de înaltă tensiune de 960V H3TRB.
