Feidian Semiconductor je neodvisno razvil SiC MOSFET in pridobil avtomobilski certifikat AEC-Q101

Naprave SiC MOSFET 1200V 35/70/160mΩ in 650V 30/45/60mΩ za avtomobilski razred, ki jih je neodvisno razvil Feidian Semiconductor, so uspešno pridobile certifikat zanesljivosti avtomobilskega razreda AEC-Q101 in prestale strogi 960V visokonapetostni test H3TRB.