Firma Feidian Semiconductor niezależnie opracowała tranzystor MOSFET SiC i uzyskała certyfikat motoryzacyjny AEC-Q101

Urządzenia MOSFET klasy motoryzacyjnej SiC 1200 V 35/70/160 mΩ i 650 V 30/45/60 mΩ opracowane niezależnie przez Feidian Semiconductor pomyślnie uzyskały certyfikat niezawodności klasy motoryzacyjnej AEC-Q101 i przeszły rygorystyczny test wysokiego napięcia 960 V H3TRB.