Feidian Semiconductor nezávisle vyvinul SiC MOSFET a získal automobilovú certifikáciu AEC-Q101

Zariadenia SiC MOSFET 1200 V 35/70/160 mΩ a 650 V 30/45/60 mΩ automobilovej triedy nezávisle vyvinuté spoločnosťou Feidian Semiconductor úspešne získali certifikáciu spoľahlivosti automobilovej triedy AEC-Q101 a prešli prísnym 960V vysokonapäťovým testom H3TRB.