Feidian Semiconductor nezávisle vyvinul SiC MOSFET a získal automobilovou certifikaci AEC-Q101
1200V
650V
AEC-Q
S
H3TRB
A
MOSFET
Semi
SiC MOS
SiC MOSFET
test
auto
spolehlivost
zařízení
zařízení
zařízení
SiC
EC
průmysl
auto
2024-12-25 11:22
52
1200V 35/70/160mΩ a 650V 30/45/60mΩ SiC MOSFET zařízení pro automobilový průmysl nezávisle vyvinutá společností Feidian Semiconductor úspěšně získala certifikaci spolehlivosti automobilové třídy AEC-Q101 a prošla přísným 960V vysokonapěťovým testem H3TRB.
