Feidian Semiconductor secara mandiri mengembangkan SiC MOSFET dan memperoleh sertifikasi otomotif AEC-Q101

Perangkat SiC MOSFET tingkat otomotif 1200V 35/70/160mΩ dan 650V 30/45/60mΩ yang dikembangkan secara independen oleh Feidian Semiconductor telah berhasil memperoleh sertifikasi keandalan tingkat otomotif AEC-Q101 dan telah lulus uji H3TRB tegangan tinggi 960V yang ketat.