Feidian Semiconductor membangunkan SiC MOSFET secara bebas dan memperoleh pensijilan automotif AEC-Q101

Peranti SiC MOSFET gred automotif 1200V 35/70/160mΩ dan 650V 30/45/60mΩ yang dibangunkan secara bebas oleh Feidian Semiconductor telah berjaya memperoleh pensijilan kebolehpercayaan gred automotif AEC-Q101 dan telah lulus ujian H3TRB voltan tinggi 960V yang ketat.