Feidian Semiconductor به طور مستقل SiC MOSFET را توسعه داد و گواهینامه AEC-Q101 خودرو را دریافت کرد.
AEC-Q
با
که
و
دریا
SiC MOS
خود
توسط
گواهی
دستگاه
بالا
قابلیت اطمینان
کر
دستگاه
ولتاژ
قاب
توسط
SiC
قاب
توسعه
درجه خودرو
EC
افت
درجه خودرو
به
درو
2024-12-25 11:23
52
دستگاه‌های 1200V 35/70/160mΩ و 650V 30/45/60mΩ با درجه خودرو SiC MOSFET که به‌طور مستقل توسط Feidian Semiconductor توسعه داده شده‌اند، با موفقیت گواهی قابلیت اطمینان AEC-Q101 را دریافت کرده‌اند و تست ولتاژ بالای 960 V3TR-VTR را گذرانده‌اند.
