Feidian Semiconductor-მა დამოუკიდებლად შეიმუშავა SiC MOSFET და მოიპოვა AEC-Q101 საავტომობილო სერთიფიკატი
2024-12-25 11:23
52
Feidian Semiconductor-ის მიერ დამოუკიდებლად შემუშავებულმა 1200V 35/70/160mΩ და 650V 30/45/60mΩ საავტომობილო კლასის SiC MOSFET მოწყობილობებმა წარმატებით მოიპოვეს AEC-Q101 საავტომობილო კლასის საიმედოობის სერტიფიკატი და გაიარეს მკაცრი ტესტი მაღალი ძაბვის 960.
