Domestic Silicium Carbide Wafer fab technologeschen Duerchbroch

Domestic Silicon Carbide Wafer Fabs hunn den internationalen fortgeschrattenen Niveau a punkto 4-Zoll a 6-Zoll Siliziumkarbid-Substratqualitéit erreecht, awer et gëtt nach ëmmer e Spalt an der 8-Zoll Siliziumkarbid-Substrattechnologie. Wéi och ëmmer, mat de kontinuéierlechen Duerchbréch an der Technologie, ginn Haushersteller erwaart d'Iwwerhuelung an Ecker z'erreechen.