Αποκαλύφθηκε η ποσότητα σωλήνων Xiaomi Auto IGBT και MOS

Πρόσφατα, η κυκλοφορία του Xiaomi SU7 έχει προσελκύσει ευρεία προσοχή. Αναφέρεται ότι το Xiaomi SU7 χρησιμοποιεί τσιπ καρβιδίου του πυριτίου στην κύρια μονάδα δίσκου, την ενσωματωμένη τροφοδοσία, τη θερμική διαχείριση και το δίκτυο φόρτισης. Σύμφωνα με ανάλυση του κλάδου, η χρήση SiC MOSFET του Xiaomi SU7 είναι σημαντική. Η έκδοση με έναν κινητήρα χρησιμοποιεί περίπου 64 τμχ, συμπεριλαμβανομένων περίπου 36 τμχ για κύρια μονάδα δίσκου, περίπου 14 τμχ για OBC, περίπου 8 τμχ για DC-DC υψηλής τάσης και περίπου 6 τμχ για ηλεκτρονικό έλεγχο αεροσυμπιεστή. Η έκδοση διπλού κινητήρα χρησιμοποιεί περίπου 112 τμχ, συμπεριλαμβανομένων 48 τμχ για κύρια μονάδα δίσκου, 36 τμχ για βοηθητική μονάδα δίσκου, περίπου 14 τμχ για OBC, περίπου 8 τμχ για DC-DC υψηλής τάσης και περίπου 6 τμχ για ηλεκτρονικό έλεγχο αεροσυμπιεστή. Επιπλέον, ένας ορισμένος αριθμός σωλήνων IGBT και MOS χρησιμοποιούνται επίσης σε πασσάλους φόρτισης και PTC.