Оголошено кількість трубок Xiaomi Auto IGBT і MOS

Нещодавно реліз Xiaomi SU7 привернув широку увагу. Повідомляється, що Xiaomi SU7 використовує чіпи з карбіду кремнію в основному накопичувачі, бортовому блоці живлення, управлінні температурою та мережі зарядки. Відповідно до галузевого аналізу, використання SiC MOSFET у Xiaomi SU7 є значним. У версії з одним двигуном використовується близько 64 одиниць, у тому числі близько 36 для головного приводу, близько 14 для OBC, близько 8 для високовольтного постійного струму та близько 6 для електронного керування повітряним компресором. У версії з подвійним двигуном використовується близько 112 пристроїв, у тому числі 48 пристроїв для основного приводу, 36 пристроїв для допоміжного приводу, близько 14 пристроїв для OBC, близько 8 пристроїв для високовольтного постійного струму та близько 6 пристроїв для електронного керування повітряним компресором. Крім того, певна кількість IGBT і MOS трубок також використовується в зарядних палях і PTC.