意法半导体推出高性能氮化镓器件PowerGaN

意法半导体近期宣布开始量产高性能氮化镓（GaN）器件PowerGaN，旨在提升汽车电气化系统的功率转换效率。该系列产品包括SGT120R65AL和SGT65R65AL两款工业级650V常关G-HEMT™晶体管，采用PowerFLAT 5x6 HV封装，分别提供15A和25A的额定电流。预计在未来几个月内，意法半导体还将推出适用于汽车领域的PowerGaN器件，以及更多功率封装形式。