Τα χυτήρια της Samsung αντιμετωπίζουν προκλήσεις απόδοσης

Τα χυτήρια της Samsung αντιμετώπισαν προβλήματα με τις αποδόσεις στα 4nm, 3nm και 2nm τα τελευταία χρόνια. Όταν το χυτήριο Samsung παρήγαγε το Snapdragon 8 Gen1 για την Qualcomm, ο ρυθμός απόδοσης των 4 nm ήταν τόσο κακός που η Qualcomm εγκατέλειψε αργότερα το χυτήριο Samsung και επέλεξε αντ' αυτού το TSMC. Η TSMC κατασκευάζει το Snapdragon 8+ Gen 1 AP. Στο τέλος, το χυτήριο Samsung αύξησε την απόδοση των 4 nm στο 70%. Ωστόσο, τα χυτήρια της Samsung εξακολουθούν να έχουν προβλήματα απόδοσης στα 3 nm, γεγονός που φέρεται να προκαλεί καθυστερήσεις στην παραγωγή για το Exynos 2500 AP 3 nm. Επομένως, η Samsung μπορεί να χρειαστεί να πληρώσει επιπλέον για να εξοπλίσει όλα τα τηλέφωνα της σειράς Galaxy S25 με το πιο ακριβό Snapdragon 8 Elite SoC αντί για το εσωτερικό Exynos 2500. Οι χαμηλές αποδόσεις αυξάνουν το κόστος των τσιπ επειδή απαιτούνται πρόσθετες γκοφρέτες σιλικόνης για να παραχθούν αρκετά τσιπ για την πλήρωση της παραγγελίας.