Zhejiang Xingyao Semiconductor hëlt IDM Schrëtt an investéiert 750 Milliounen fir 5G Radiofrequenz Filter Chip Wafer Produktiounslinn ze bauen

Zhejiang Xingyao Semiconductor Co., Ltd. huet eng Inbetriebszeremonie fir den 5G Radiofrequenzfilter Chip wafer Produktiounslinnprojet am Wenzhou Bay New District a Longwan District ofgehalen, e wichtege Schrëtt an der Transformatioun vun der Firma vu Fabless zu IDM markéiert. De Projet huet eng Gesamtinvestitioun vu 750 Milliounen Yuan a gëtt erwaart eng jäerlech Ausgab vun 120.000 High-Performance Radiofrequenzfilterwafers z'erreechen nodeems se a Produktioun gesat ginn.