Dongfeng Semiconductor lägger till IGBT-substratprojekt

Den 8 april tillkännagav Guangde Dongfeng Semiconductor Technology Co., Ltd. sin investering i ett kopparbeklätt keramiskt substratprojekt för krafthalvledare med en årlig produktion på 3 miljoner stycken. Företaget är huvudsakligen engagerat i design, FoU, produktion och försäljning av högpresterande keramiska koppar-klädda laminat för krafthalvledare. Dess produkter används i stor utsträckning inom IGBT-krafthalvledarmoduler, 5G-radiofrekvensenheter, elfordon och andra områden. . För närvarande har Dongfeng Semiconductors årliga produktionskapacitet nått 1,5 miljoner stycken högpresterande keramikbaserade kopparklädda laminat.