Dongfeng Semiconductor adaugă proiectul de substrat IGBT

Pe 8 aprilie, Guangde Dongfeng Semiconductor Technology Co., Ltd. și-a anunțat investiția într-un proiect cu o producție anuală de 3 milioane de semiconductori de putere substraturi ceramice placate cu cupru. Compania este implicată în principal în proiectarea, cercetarea și dezvoltarea, producția și vânzarea de laminate de înaltă performanță pe bază de cupru pentru semiconductori de putere. . În prezent, capacitatea de producție anuală a Dongfeng Semiconductor a atins 1,5 milioane de bucăți de laminate placate cu cupru pe bază de ceramică de înaltă performanță.