Dongfeng Semiconductor lisab IGBT substraadi projekti

8. aprillil teatas Guangde Dongfeng Semiconductor Technology Co., Ltd. oma investeeringust projekti, mille aastane toodang on 3 miljonit võimsusega pooljuhtide vasega kaetud keraamilist substraati. Ettevõte tegeleb peamiselt võimsate keraamiliste vaskkattega laminaatide projekteerimise, teadus- ja arendustegevuse, tootmise ja müügiga jõupooljuhtide jaoks. . Praegu on Dongfeng Semiconductori aastane tootmisvõimsus jõudnud 1,5 miljoni tükini suure jõudlusega keraamikapõhiste vaskkattega laminaatideni.