Dongfeng Semiconductor ამატებს IGBT სუბსტრატის პროექტს

8 აპრილს Guangde Dongfeng Semiconductor Technology Co., Ltd.-მ გამოაცხადა თავისი ინვესტიცია ენერგეტიკული ნახევარგამტარული სპილენძის მოპირკეთებული კერამიკული სუბსტრატის პროექტში წლიური გამომუშავებით 3 მილიონი ცალი. კომპანია ძირითადად ეწევა ელექტრული ნახევარგამტარებისთვის მაღალი ხარისხის კერამიკული სპილენძის მოპირკეთებული ლამინირების დიზაინს, კვლევასა და განვითარებას, წარმოებას და გაყიდვას მისი პროდუქცია ფართოდ გამოიყენება IGBT სიმძლავრის ნახევარგამტარულ მოდულებში, 5G რადიო სიხშირის მოწყობილობებში, ელექტრო მანქანებში და სხვა სფეროებში. . დღეისათვის Dongfeng Semiconductor-ის წლიურმა საწარმოო სიმძლავრემ მიაღწია 1,5 მილიონ ცალი მაღალი ხარისხის კერამიკულზე დაფუძნებული სპილენძის მოპირკეთებული ლამინატს.