Het hoofdgedeelte van het Jiangsu Nanjing Zhongjiang Semiconductor IGBT koperbeklede keramische substraat-industrialisatieproject heeft zijn maximum bereikt

Op 28 maart is het hoofdgebouw van het Zhongjiang Semiconductor IGBT-industrialisatieproject voor koperbeklede keramische substraten afgesloten en is de bouw van de secundaire structuur aan de gang. De verwachting is dat de apparatuur eind april geleidelijk de fabriek zal binnenkomen voor installatie en eind oktober zal worden voltooid en in productie zal worden genomen. Dit project is een van de grote gemeentelijke projecten van de Binjiang Development Zone in 2024. Het is gebouwd door Nanjing Zhongjiang New Material Technology Co., Ltd. met een totale investering van 1 miljard yuan. Het houdt zich voornamelijk bezig met de productie, verkoop en onderzoek en ontwikkeling van nieuwe keramische, met koper beklede substraten.