Corpul principal al proiectului de industrializare a substratului ceramic placat cu cupru IGBT Jiangsu Nanjing Zhongjiang Semiconductor a limitat

Pe 28 martie, clădirea principală a proiectului de industrializare a substratului ceramic placat cu cupru Zhongjiang Semiconductor IGBT a fost finalizată, iar construcția structurii secundare este în curs. Este de așteptat ca echipamentele să fie instalate în fabrică unul după altul la sfârșitul lunii aprilie și să fie finalizate și puse în producție până la sfârșitul lunii octombrie. Acest proiect este unul dintre proiectele municipale majore ale zonei de dezvoltare Binjiang în 2024. Este construit de Nanjing Zhongjiang New Material Technology Co., Ltd., cu o investiție totală de 1 miliard de yuani. Este implicat în principal în producție, vânzări și cercetare și dezvoltarea de noi substraturi cu materiale ceramice placate cu cupru.