Jiangsu Nanjing Zhongjiang Semiconductor IGBT ar varu pārklāta keramikas substrāta industrializācijas projekta galvenā daļa ir nobeigusies

28. martā Zhongjiang Semiconductor IGBT vara pārklāta keramikas substrāta industrializācijas projekta galvenā ēka ir ierobežota, un notiek sekundāro struktūru būvniecība. Paredzams, ka iekārtas pakāpeniski tiks ievestas rūpnīcā uzstādīšanai aprīļa beigās un tiks pabeigtas un nodotas ražošanā oktobra beigās. Šis projekts ir viens no lielākajiem pašvaldības projektiem Binjiang Development Zone 2024. gadā. To būvē Nanjing Zhongjiang New Material Technology Co., Ltd., kura kopējās investīcijas ir 1 miljards juaņu. Tas galvenokārt nodarbojas ar ražošanu, pārdošanu un pētniecību un jaunu materiālu keramikas ar varu pārklātu substrātu izstrāde.